[phpBB Debug] PHP Warning: in file [ROOT]/ext/kinerity/bestanswer/event/main_listener.php on line 514: Undefined array key "poster_answers" Memoria flash ferroeléctrica - Foro de Wikipedia
La '''memoria flash ferroeléctrica''', (NAND ferroeléctrica, FeNAND o NAND basada en FeFET), es una tecnología de memoria no volátil emergente que incorpora materiales ferroeléctricos (Ferroelectricidad) (típicamente óxido de hafnio dopado,
En 2025 se estaban desarrollando unas 20 arquitecturas diferentes.
== Historia ==
La investigación sobre transistores ferroeléctricos comenzó en las décadas de 1950 y 1960. El desarrollo práctico se estancó debido a la incompatibilidad del material con los procesos CMOS.
El descubrimiento de la ferroelectricidad en dopado.
* En 2012, * En 2021, se informaron las primeras matrices FeNAND compatibles con CMOS * Entre 2023 y 2025, los prototipos lograron funcionamiento de bajo voltaje, alta resistencia (>10¹² ciclos) y almacenamiento de múltiples bits.
* En 2023, SK Hynix añadió una capa aislante que atrapaba cargas encima del
== Física y funcionamiento del dispositivo ==
Los ferroeléctricos tienen una orientación eléctrica polar estable que un campo eléctrico externo puede cambiar. La polaridad ferroeléctrica determina si un voltaje aplicado puede impulsar el flujo de electrones a través del canal adyacente. Debido a que los ferroeléctricos pueden leer y escribir datos a voltajes más bajos, las capas aislantes que confinan las celdas pueden ser más delgadas, lo que permite hasta 1000 capas de celdas.
El flash ferroeléctrico se basa en FeFET, donde el dieléctrico de puerta incluye una capa ferroeléctrica (por ejemplo, HfZrO o HZO). El almacenamiento de datos se produce mediante estados de polarización reversibles:
* La polarización cambia el voltaje umbral del transistor (V_th), creando distintos estados "encendido" y "apagado"
* Las lecturas no son destructivas (detección de corriente)
* Las escrituras utilizan voltajes bajos (3–6 V frente a 15–20 V en NAND de trampa de carga), lo que reduce el consumo de energía
En 3D FeNAND, las celdas se apilan verticalmente como NAND convencional, pero las puertas ferroeléctricas (Ferroelectricidad) reemplazan las capas trampa de carga.
Para almacenar o recuperar información de una celda (hasta 5 bits), FeNAND utiliza un "voltaje de paso" vertical que conecta las celdas en una columna para que actúe como un solo cable. Para reducir la demanda de energía, Samsung reemplazó el silicio en los canales que transportan corriente con óxido de indio, galio y zinc, un semiconductor que permite que un paso de corriente un 96% menor lo conmute.
== Ventajas ==
* Menor potencia: voltajes de programa/borrado reducidos y sin perturbaciones de paso alto
* Mayor resistencia: 10⁹–10¹² ciclos frente a 10³–10⁵ para NAND
* Velocidades más rápidas: conmutación inferior a 10 ns en prototipos
* Escalabilidad: Potencial para >512 capas y operación TLC/QLC
* Capacidad de varios bits: ventanas de memoria grandes (hasta 12-17 V en demostraciones de 2025)
== Desafíos ==
* Retención y fatiga: degradación de la polarización a lo largo de los ciclos; mitigado por la ingeniería de pila de puerta (p. ej., * Perturbación en cadenas: Programar/borrar interferencias; resuelto mediante ingeniería de bandas o estructuras de superred
* Fabricación: Control preciso de
== Comparación ==
== Aplicaciones ==
La tecnología tiene potencial en dispositivos de borde de IA, almacenamiento a hiperescala y NVM de baja latencia. Los desafíos incluyen confiabilidad, escalabilidad y costo. El trabajo en curso (IEDM 2024-2025) se centra en FeNAND híbrido y computación en memoria.
== Ver también ==
* RAM ferroeléctrica
*
Materiales ferroeléctricos
Tipos de RAM
Memoria no volátil
[h4] La '''memoria flash ferroeléctrica''', (NAND ferroeléctrica, FeNAND o NAND basada en FeFET), es una tecnología de memoria no volátil emergente que incorpora materiales ferroeléctricos (Ferroelectricidad) (típicamente óxido de hafnio dopado, En 2025 se estaban desarrollando unas 20 arquitecturas diferentes. == Historia == La investigación sobre transistores ferroeléctricos comenzó en las décadas de 1950 y 1960. El desarrollo práctico se estancó debido a la incompatibilidad del material con los procesos CMOS. El descubrimiento de la ferroelectricidad en dopado. * En 2012, * En 2021, se informaron las primeras matrices FeNAND compatibles con CMOS * Entre 2023 y 2025, los prototipos lograron funcionamiento de bajo voltaje, alta resistencia (>10¹² ciclos) y almacenamiento de múltiples bits. * En 2023, SK Hynix añadió una capa aislante que atrapaba cargas encima del == Física y funcionamiento del dispositivo == Los ferroeléctricos tienen una orientación eléctrica polar estable que un campo eléctrico externo puede cambiar. La polaridad ferroeléctrica determina si un voltaje aplicado puede impulsar el flujo de electrones a través del canal adyacente. Debido a que los ferroeléctricos pueden leer y escribir datos a voltajes más bajos, las capas aislantes que confinan las celdas pueden ser más delgadas, lo que permite hasta 1000 capas de celdas.
El flash ferroeléctrico se basa en FeFET, donde el dieléctrico de puerta incluye una capa ferroeléctrica (por ejemplo, HfZrO o HZO). El almacenamiento de datos se produce mediante estados de polarización reversibles:
* La polarización cambia el voltaje umbral del transistor (V_th), creando distintos estados "encendido" y "apagado" * Las lecturas no son destructivas (detección de corriente) * Las escrituras utilizan voltajes bajos (3–6 V frente a 15–20 V en NAND de trampa de carga), lo que reduce el consumo de energía
En 3D FeNAND, las celdas se apilan verticalmente como NAND convencional, pero las puertas ferroeléctricas (Ferroelectricidad) reemplazan las capas trampa de carga.
Para almacenar o recuperar información de una celda (hasta 5 bits), FeNAND utiliza un "voltaje de paso" vertical que conecta las celdas en una columna para que actúe como un solo cable. Para reducir la demanda de energía, Samsung reemplazó el silicio en los canales que transportan corriente con óxido de indio, galio y zinc, un semiconductor que permite que un paso de corriente un 96% menor lo conmute.
== Ventajas ==
* Menor potencia: voltajes de programa/borrado reducidos y sin perturbaciones de paso alto * Mayor resistencia: 10⁹–10¹² ciclos frente a 10³–10⁵ para NAND * Velocidades más rápidas: conmutación inferior a 10 ns en prototipos * Escalabilidad: Potencial para >512 capas y operación TLC/QLC * Capacidad de varios bits: ventanas de memoria grandes (hasta 12-17 V en demostraciones de 2025)
== Desafíos ==
* Retención y fatiga: degradación de la polarización [url=viewtopic.php?t=8701]a lo largo de[/url] los ciclos; mitigado por la ingeniería de pila de puerta (p. ej., * Perturbación en cadenas: Programar/borrar interferencias; resuelto mediante ingeniería de bandas o estructuras de superred * Fabricación: Control preciso de == Comparación ==
== Aplicaciones == La tecnología tiene potencial en dispositivos de borde de IA, almacenamiento a hiperescala y NVM de baja latencia. Los desafíos incluyen confiabilidad, escalabilidad y costo. El trabajo en curso (IEDM 2024-2025) se centra en FeNAND híbrido y computación en memoria.
== Ver también ==
* RAM ferroeléctrica
* Materiales ferroeléctricos Tipos de RAM Memoria no volátil [/h4]
More details: [url]https://en.wikipedia.org/wiki/Ferroelectric_flash_memory[/url]
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